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東風系智新半導體IGBT模塊投產

  7月7日,華中地區(qū)首只量產的車規(guī)級IGBT模塊產品從智新半導體模塊封裝工廠緩緩下線,作為東風公司實施科技創(chuàng)新“躍遷行動”、自主掌控新能源汽車關鍵技術核心資源的重要實踐,這也是東風和中國中車戰(zhàn)略合作后結出的第一個碩果。據(jù)悉,項目總規(guī)劃產能120萬只,滿足東風集團新能源汽車到2025年100萬銷量的IGBT需求;一期將實現(xiàn)每年30萬只全轎車規(guī)級模塊的封裝能力,建成功率半導體產業(yè)化基地。此次投產的IGBT模塊,具有良好的散熱性和抗電磁干擾性,能夠滿足車規(guī)級產品的高可靠性要求,市場潛力巨大。

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