去年，Intel推出的X99將DDR4帶到了我們面前，但是由于X99平臺的價格實在太高，并不能讓DDR4進入普通玩家的裝機配置中。而如今，隨著Intel 100系列平臺的發(fā)布，DDR4內(nèi)存終于可以得到普及，取代DDR3也是指日可待。那么DDR4性能到底怎樣呢？和DDR3相比又超過了多少呢？《電腦迷》評測室收到了來自金士頓的Hyper X Fury 16GB DDR4 2666內(nèi)存套裝（4GB×4），下面就來為大家解析一下。

　　1.什么是DDR4

　　DDR，又稱雙倍速率SDRAM。Dual Data Rate SDRAM DDR SDRAM，是一種高速CMOS動態(tài)隨機訪問的內(nèi)存。美國JEDEC的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000年6月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDRSDRAM)規(guī)范。

　　DDR4即是雙倍速率SDRAM第四代（DDR3為第三代），DDR4與以前的內(nèi)存接口不兼容，需要X99和100系列主板等才能支持。Intel Haswell-E處理器首次整合了DDR4內(nèi)存控制器，新一代的Skylake處理器也整合了DDR4內(nèi)存控制器，并在100系列主板上開始普及DDR4。而AMD則要等到下一代平臺發(fā)布時才會支持DDR4。

　　DDR4內(nèi)存頻率原生支持2133MHz，和DDR3相比，其接口位置同時也發(fā)生了改變，金手指中間的“缺口”位置相比DDR3更為靠近中央，這樣做的目的是為了防止用戶插錯。在金手指觸點數(shù)量方面，普通DDR4內(nèi)存有284個，而DDR3則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。DDR4最重要的使命是提高頻率和帶寬。DDR4內(nèi)存的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％。DDR4在使用了3D堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達到目前產(chǎn)品的8倍之多。目前常見的大容量DDR3內(nèi)存單條容量為8GB（單顆芯片512MB，共16顆），而DDR4則完全可以達到64GB，甚至128GB。電壓方面，DDR4將會使用20nm以下的工藝來制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動版的SO-DIMMDDDR4的電壓還會降得更低。DDR4還支持命令/地址總線上的同位核對(paritycheck)，以及在數(shù)據(jù)寫入時，數(shù)據(jù)總線上支持循環(huán)冗余檢驗(CRC)等功能，以自動偵錯的方式來避免因訊號干擾而導(dǎo)致不正確的命令或數(shù)據(jù)被寫入內(nèi)存，增加高速傳輸時數(shù)據(jù)的完整性。

　　當(dāng)然，DDR4也不是完美無缺，和DDR3相比，DDR4讀寫指令需要更長的啟動時間周期(Read Latency或Write Latency，也就是讀寫指令下達后，需花費多少時間周期，數(shù)據(jù)才會出現(xiàn)在接口上)。因此在相同頻率下，DDR4的讀寫效率會比DDR3低，而這個問題就需要高頻來解決。其實從DDR2進展到DDR3時也有類似的問題發(fā)生，新一代的內(nèi)存在剛推出的時候，價格不但偏高，同頻操作下的效率又比舊型內(nèi)存差，總要過一段時間，市場對高速內(nèi)存的需求升高，再加上產(chǎn)能提升帶動單位內(nèi)存價格的下降，才會真正達到世代交替。

　　2.外觀參數(shù)定位高端

　　如今DIY界已經(jīng)走進了拼顏值的時代，內(nèi)存自然也不能免俗。PCB+閃存顆粒的“裸條”已經(jīng)成為普通入門級消費者才會選購的對象，對于玩家們來說，帶有散熱“裝甲”的“馬甲條”才是最愛。金士頓Hyper X Fury系列自DDR3時代起就采用了炫酷的散熱片設(shè)計，在DDR4統(tǒng)一成了黑色，顯得更加專業(yè)，和主板廠商一票紅黑色的主板配色也顯得更搭。散熱片采用非對稱設(shè)計，動感十足。金屬拉絲切割的HyperX字樣，凸顯其專業(yè)和高端的定位。當(dāng)然，散熱裝甲并不只是為了好看，其在高頻時能為閃存顆粒提供更好的散熱效果，保證其在高頻下的穩(wěn)定。另外我們可以看到，該內(nèi)存的底部金手指不再是直的，而是呈彎曲狀。從左側(cè)數(shù)，第35針開始變長，到第47針達到最長，然后從第105針開始縮短，到第117針回到最短，這樣做的好處是讓用戶插入內(nèi)存時更方便，提高用戶體驗的同時也帶來了更高的穩(wěn)定性。

　　性能方面，金士頓Hyper X Fury DDR4 266616GB套條采用四條4GB設(shè)計，精選高品質(zhì)DRAM芯片，并在生產(chǎn)過程中經(jīng)過100%的苛刻測試，確保100%穩(wěn)定。我們拿到的是2666的套裝，默認(rèn)頻率為DDR4 2666 MHz，同時還有頻率更高的3000MHz等版本可選。該內(nèi)存支持簡便的Pnp模式，可以讓不熟悉BIOS的玩家無需進入BIOS設(shè)置即可達到正確的頻率。該內(nèi)存同時還支持XMP模式，開啟XMP模式后，時序會降低為15-17-17-35，能夠帶來更高的性能。另外，該內(nèi)存的電壓僅1.2V，低電壓的設(shè)計讓他它DDR3有著更低的功耗，同時擁有更高的超頻潛力，雖然內(nèi)存功耗對臺式機來說意義不大，但是對移動平臺卻有著不同尋常的意義。

　　3.性能測試表現(xiàn)不俗

　　3性能測試表現(xiàn)不俗DDR4的起跳頻率為2133MHz，所以在頻率上相對DDR3有較大的優(yōu)勢，本次的金士頓Hyper X Fury DDR4 2666 16GB套條的默認(rèn)頻率為2666MHz，相對入門級的內(nèi)存條則會有更好的表現(xiàn)。我們搭建了測試平臺對不同頻率下的內(nèi)存進行了測試，同時加入了DDR3的測試以方便對比。

　　通過AIDA64的內(nèi)存帶寬測試，我們可以看到在DDR42666XMP狀態(tài)下，金士頓Hyper X Fury DDR4的時序比Pnp模式下更低，同時能夠提供比DDR4 2133更好的性能。由于WINRAR對內(nèi)存的頻率和時序比較敏感，所以我們也加入了WINRAR的基準(zhǔn)測試，我們可以看到，在WINRAR的測試中，隨著頻率的提高，壓縮解壓性能也得到了相應(yīng)的提升。

　　對比DDR3內(nèi)存我們可以發(fā)現(xiàn)，DDR3內(nèi)存擁有更低的時序，但是由于頻率較低，DDR3 1600的性能完全不能和DDR4抗衡。DDR3 2133的性能和DDR4 2133的性能基本持平，由于時許較低，所以內(nèi)存延遲上勝出，這和當(dāng)年DDR3取代DDR2一樣，在同頻率上DDR4并沒有什么優(yōu)勢，但是借助高頻，DDR4能夠帶來恐怖的性能提升，從而完全無視DDR3。

　　對于高端“馬甲條”，超頻能力也是需要考慮的因素之一。我們在BIOS中簡單地設(shè)置，就將Hyper X Fury DDR4的頻率提升到了2800MHz，同時時序保持在15-17-17-35，電壓不變。我們可以看到，在超頻之后的帶寬和性能進一步得到了提升，同時內(nèi)存延遲變得更低。由于時間關(guān)系小編沒有嘗試更高的頻率，但Hyper X Fury DD4的超頻能力還是給我們留下了深刻的印象，相信配合Skylake處理器超頻是一個不錯的選擇。另外，隨著DDR4內(nèi)存頻率的提高，對核芯顯卡性能也有不小的提升，所以我們建議使用核顯的玩家盡量購買高頻DDR4內(nèi)存。

　　寫在最后

　　DDR4取代DDR3的趨勢已經(jīng)不可阻擋。去年還是X99高端玩家專用的DDR4內(nèi)存，如今已經(jīng)隨著100系列芯片組開始慢慢進入普通玩家的視線。配合Skylake處理器，高頻DDR4內(nèi)存能夠帶來更高的性能，金士頓Hyper X Fury DDR4不但做工優(yōu)秀外觀炫酷，良好的穩(wěn)定性、兼容性和優(yōu)秀的超頻性能才是玩家們更應(yīng)該關(guān)注的，配合Skylake處理器在超頻方面的優(yōu)秀表現(xiàn)值得玩家們選購。

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